无需EUV光刻机 铠侠新NIL工艺直奔5nm

2021-10-21 21:21 未知

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据日媒报道, 日本铠侠自2017年开端与半导体设备厂佳能,以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技巧(NIL)的量产技巧,今朝铠侠已经控制了15nm的量产技巧,并正在向15nm以下的工艺研发,估计2025年开端临盆


比拟于今朝已实用化的极紫外光(EUV)工艺而言,NIL工艺不应用EUV光刻机,降低了设备投入成本,并且耗能更低,据称NIL的耗电量可压低至EUV临盆方法的10%,并让设备投资降低至40%。然则NIL在量产上仍有不少问题有待解决,包含更轻易因细微尘埃而形成瑕疵等的问题。

铠侠表示,已解决NIL的根本技巧问题,正在完美量产技巧,欲望能率先引入NAND临盆。而根据DNP说法,NIL技巧电路精细程度可达5nm,DNP将从2021年春季起,根据设备的规格进行内部仿真。

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